
1、寄樣
2、初檢樣品
3、報(bào)價(jià)
4、雙方確定,簽訂保密協(xié)議,開始實(shí)驗(yàn)。
5、結(jié)束實(shí)驗(yàn)
6、郵寄檢測報(bào)告
半導(dǎo)體集成電路運(yùn)算放大器測試方法 GJB9147-2017 5.1
半導(dǎo)體集成電路運(yùn)算放大器測試方法 GJB 9147-20175.3
半導(dǎo)體集成電路運(yùn)算放大器測試方法 GJB9147-20175.5
半導(dǎo)體集成電路運(yùn)算放大器測試方法 GJB 9147-20175.7
半導(dǎo)體集成電路運(yùn)算放大器測試方法 GJB9147-20175.7
半導(dǎo)體集成電路運(yùn)算放大器測試方法 GJB9147-20175.7
半導(dǎo)體集成電路運(yùn)算放大器測試方法 GJB 9147-20175.8
半導(dǎo)體集成電路運(yùn)算放大器測試方法 GJB9147-20175.9
半導(dǎo)體集成電路運(yùn)算放大器測試方法 GJB9147-20175.10
半導(dǎo)體集成電路運(yùn)算放大器測試方法 GJB 9147-20175.12
半導(dǎo)體集成電路運(yùn)算放大器測試方法 GJB9147-2017 5.13
半導(dǎo)體集成電路運(yùn)算放大器測試方法 GJB 9147-20175.13
半導(dǎo)體集成電路運(yùn)算放大器測試方法 GJB 9147-20175.15
半導(dǎo)體集成電路運(yùn)算放大器測試方法 GJB9147-20175.25
軍用電子元器件破壞性物理分析方法 GJB 4027B-2021 1101-1103
軍用電子元器件破壞性物理分析方法 GJB 4027B-20211101
微電子器件試驗(yàn)方法和程序 GJB 548C-20212015.2
微電子器件試驗(yàn)方法和程序 GJB548C-20212003.2
微電子器件試驗(yàn)方法和程序 GJB548C-20212011.2
微電子器件試驗(yàn)方法和程序 GJB 548C-2021 1015.1
輸入失調(diào)電壓VIo,輸入偏置電流lIB,輸入失調(diào)電流llO,正電源電流+,負(fù)電源電流-,靜態(tài)功耗PD,開環(huán)電壓增益AVO,共模抑制比KCMR,轉(zhuǎn)換速率SR,電源電壓抑制比KSVR,輸出最高電平VOP+,輸出最低電平VOP-,輸出短路電流IOS,增益帶寬乘積GBW,鍵合強(qiáng)度,剪切強(qiáng)度,耐溶劑性,可焊性,鍵合強(qiáng)度(破壞性鍵合拉力試驗(yàn)),老煉試驗(yàn),穩(wěn)態(tài)壽命,引線牢固性,溫度循環(huán),密封,機(jī)械沖擊,掃頻振動(dòng),恒定加速度,鹽霧(鹽汽),靜電放電敏感度的分級,拉子碰撞噪聲檢測試驗(yàn),高溫貯存
檢測周期:7-15個(gè)工作日,試驗(yàn)可加急
檢測樣品:半導(dǎo)體集成電路(電壓型)運(yùn)算放大器
哪里可以做半導(dǎo)體集成電路(電壓型)運(yùn)算放大器檢測?試驗(yàn)項(xiàng)目:輸入偏置電流lIB,輸入失調(diào)電流llO,正電源電流+,負(fù)電源電流-,靜態(tài)功耗PD,開環(huán)電壓增益AVO,共模抑制比KCMR,轉(zhuǎn)換速率SR,電源電壓抑制比KSVR,輸出最高電平VOP+,輸出最低電平VOP-,輸出短路電流IOS,增益帶寬乘積GBW,鍵合強(qiáng)度,剪切強(qiáng)度,耐溶劑性



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